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型号 SI7956DP-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
SI7956DP-T1-E3 PDF
代理商 SI7956DP-T1-E3
产品目录绘图 8-SOIC Mosfet Package
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 105 毫欧 @ 4.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 26nC @ 10V
功率 - 最大 1.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8 Dual
包装 标准包装
其它名称 SI7956DP-T1-E3DKR
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